“集成电路制造工艺与器件研讨会”在北京圆满召开

2021年6月16日，“集成电路制造工艺与器件研讨会”在中国科学院微电子研究所成功举办。本次会议由中国科学院微电子研究所和北京市电子科技情报研究所联合主办，《微纳电子与智能制造》杂志社和北京电子学会承办。会议由中国科学院微电子研究所副所长、期刊编辑委员会委员王文武荣誉发起，旨在通过学术界和产业界开展学术和技术交流，研讨集成电路制造工艺与器件发展关键技术和核心内容，促进产学研融合发展。

本次研讨会特别邀请到清华大学、北京大学、北京航空航天大学、复旦大学、西安电子科技大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所、大湾区集成电路研究院，以及北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司、通富微电子股份有限公司、长鑫存储技术有限公司、澳芯集成电路技术（广东）有限公司的专家、学者近40人出席。会议由中国科学院微电子研究所王文武副所长主持。

研讨会上，中国科学院微电子研究所副所长、《微纳电子与智能制造》客座主编王文武和北京市电子科技情报研究所副所长张莹分别发表致辞。王文武副所长在致辞中表示，为了满足集成电路对高效能计算、大容量存储、极低功耗通信的发展需求，基于新型材料与器件创新的集成电路技术仍是不可或缺的强大基石。未来几十年，集成电路技术仍将持续演进，器件尺寸微缩、三维集成，以及架构创新等技术将推动芯片能效比的持续提高，带来计算能力指数级提升和网络应用爆发式增长。因此，围绕集成电路工艺与器件领域的发展现状和最新技术进展，开展深入交流与研讨具有非常重要的意义。希望以本次研讨会为契机，各位专家学者共商共讨，为集成电路工艺与器件研究提供更多的新思维、新启示，促进我国集成电路产业和技术的自立自强发展。张莹副所长对来自学术界和产业界人员参会表示欢迎和感谢，并希望各位专家针对集成电路制造工艺与核心技术方面的“卡脖子”问题献计献策、群策群力，加强产学研融合，共同推动集成电路工艺和器件的发展，并表示将研讨会的特邀报告内容作为《微纳电子与智能制造》期刊的专题进行报道，将相关成果迅速传播，供科研人员交流学习。  

 本次研讨会特邀17位知名学者和技术专家，围绕集成电路制造工艺与器件进行了前沿技术报告分享。报告主题涵盖了纳米环栅器件（GAA）、FD-SOI器件、自旋电子器件等新结构新原理器件，锗硅、锗锡、氧化物半导体、铪基铁电等新材料及器件，2.5D/3D封装、异质异构集成、先进封装基板等封测技术，以及计算光刻和紧凑模型等关键技术。技术分享后，参会人员进行了深入的交流和讨论，从核心技术突破、公共平台共享、专业人才培养等各方面给出了专业的意见和建议。来自学术界和产业界的专家们围绕产学研深度融合，以企业需求为目标导向，发挥高校院所的前沿科研和人才培养优势，优势互补，围绕“卡脖子”问题，切实推进产学研深度融合和产业化落地。

本次研讨会为该领域的科研机构和企业人员提供了专业交流平台，与会专家纷纷表示，举办这次研讨会对加强领域内先进技术、研究成果及其应用现状的交流有非常重要的意义，增进了相互交流合作，为共同促进集成电路领域产学研融合发展创造了良好的条件。

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